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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPW60R070C6FKSA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPW60R070C6FKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPW60R070C6FKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPW60R070C6FKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IPW60R070C6FKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 4538

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPW60R070C6FKSA1
Infineon Technologies - IPW60R070C6FKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPW60R070C6FKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.72mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO247-3-1  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 25.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 391W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 53A (Tc)  
Numéro de produit de base IPW60R070  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPW60R070C6FKSA1

Attributs du produit IPW60R070C6FKSA1 IPW60R060P7XKSA1 IPW60R070CFD7XKSA1 IPW60R075CPFKSA1
Modèle de produit IPW60R070C6FKSA1 IPW60R060P7XKSA1 IPW60R070CFD7XKSA1 IPW60R075CPFKSA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base IPW60R070 IPW60R060 IPW60R070 IPW60R075
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 650 V 650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 100 V 2895 pF @ 400 V 2721 pF @ 400 V 4000 pF @ 100 V
Séries CoolMOS™ CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CFD7 CoolMOS™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 53A (Tc) 48A (Tc) 31A (Tc) 39A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.72mA 4V @ 800µA 4.5V @ 760µA 3.5V @ 1.7mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 116 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 391W (Tc) 164W (Tc) 156W (Tc) 313W (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO247-3-1 PG-TO247-3 PG-TO247-3-21 PG-TO247-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 25.8A, 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V 70mOhm @ 15.1A, 10V 75mOhm @ 26A, 10V

Fiche technique IPW60R070C6FKSA1 PDF

Téléchargez IPW60R070C6FKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPW60R070C6FKSA1 - Infineon Technologies.

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Assemblage / origine PCN
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