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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPS50R520CP
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPS50R520CP - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPS50R520CP
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPS50R520CP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Fiche technique
IPS50R520CP.pdf
En stock: 4080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPS50R520CP
Infineon Technologies - IPS50R520CP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPS50R520CP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO251-3-11  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 66W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 550 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IPS50R  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPS50R520CP

Attributs du produit IPS50R520CP IPS4260LTR IPS511 IPS511GTRPBF
Modèle de produit IPS50R520CP IPS4260LTR IPS511 IPS511GTRPBF
Fabricant Infineon Technologies STMicroelectronics Infineon Technologies IR
Séries CoolMOS™ - - -
Tension drain-source (Vdss) 550 V - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.1A (Tc) - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Dissipation de puissance (max) 66W (Tc) - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V - - -
Package composant fournisseur PG-TO251-3-11 20-HTSSOP TO-220AB (5-LEAD) -
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole -
Numéro de produit de base IPS50R IPS4260 IPS511 -
type de FET N-Channel - - -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-251-3 Stub Leads, IPak 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad TO-220-5 -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube -

Fiche technique IPS50R520CP PDF

Téléchargez IPS50R520CP PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPS50R520CP - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IPS50R520CP.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 31/Aug/2017.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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