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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP80N04S403AKSA1
IPP80N04S403AKSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP80N04S403AKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP80N04S403AKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP80N04S403AKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP80N04S403AKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 30464

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP80N04S403AKSA1
Infineon Technologies - IPP80N04S403AKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP80N04S403AKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 53µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5260 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP80N04  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP80N04S403AKSA1

Attributs du produit IPP80N04S403AKSA1 IPP80N06S2-H5 IPP80N06S2-09 IPP80N04S3-03
Modèle de produit IPP80N04S403AKSA1 IPP80N06S2-H5 IPP80N06S2-09 IPP80N04S3-03
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 53µA 4V @ 230µA 4V @ 125µA 4V @ 120µA
Emballer Tube Bulk Bulk Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc) 300W (Tc) 190W (Tc) 188W (Tc)
Séries OptiMOS™ CoolMOS™ * *
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5260 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 2360 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IPP80N04 - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V 5.5mOhm @ 80A, 10V 9.1mOhm @ 50A, 10V 3.5mOhm @ 80A, 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 55 V 55 V 40 V

Fiche technique IPP80N04S403AKSA1 PDF

Téléchargez IPP80N04S403AKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPP80N04S403AKSA1 - Infineon Technologies.

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Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019.pdf

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