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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP14N03LA
IPP14N03LA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP14N03LA - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP14N03LA
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP14N03LA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPI,IPP14N03LA.pdf
En stock: 4010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP14N03LA
Infineon Technologies - IPP14N03LA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP14N03LA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1043 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP14N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP14N03LA

Attributs du produit IPP14N03LA IPP139N08N3G IPP16CN10N IPP13N03LBG
Modèle de produit IPP14N03LA IPP139N08N3G IPP16CN10N IPP13N03LBG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) INF
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Type de montage Through Hole Through Hole - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 - -
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc) 79W (Tc) - -
Numéro de produit de base IPP14N - - -
Tension drain-source (Vdss) 25 V 80 V - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V 25 nC @ 10 V - -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 30A, 10V 13.9mOhm @ 45A, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1043 pF @ 15 V 1730 pF @ 40 V - -
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3 - -
Emballer Tube Bulk - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 45A (Tc) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA 3.5V @ 33µA - -

Fiche technique IPP14N03LA PDF

Téléchargez IPP14N03LA PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPP14N03LA - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
IPI,IPP14N03LA.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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