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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP120N20NFDAKSA1
IPP120N20NFDAKSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP120N20NFDAKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP120N20NFDAKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP120N20NFDAKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP120N20NFDAKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 7437

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP120N20NFDAKSA1
Infineon Technologies - IPP120N20NFDAKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP120N20NFDAKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 84A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6650 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 84A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP120N20NFDAKSA1

Attributs du produit IPP120N20NFDAKSA1 IPP120P04P4L03AKSA1 IPP120P04P404AKSA1 IPP126N10N3G
Modèle de produit IPP120N20NFDAKSA1 IPP120P04P4L03AKSA1 IPP120P04P404AKSA1 IPP126N10N3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Séries OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V 205 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc) 94W (Tc)
Numéro de produit de base IPP120 IPP120 IPP120P -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 84A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 3.8mOhm @ 100A, 10V 12.6mOhm @ 46A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 2.2V @ 340µA 4V @ 340µA 3.5V @ 46µA
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 84A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 58A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube -
Tension drain-source (Vdss) 200 V 40 V 40 V 100 V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6650 pF @ 100 V 15000 pF @ 25 V 14790 pF @ 25 V 2500 pF @ 50 V

Fiche technique IPP120N20NFDAKSA1 PDF

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Autres documents connexes
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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