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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP110N20N3GXKSA1
IPP110N20N3GXKSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP110N20N3GXKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP110N20N3GXKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP110N20N3GXKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP110N20N3GXKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 9252

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP110N20N3GXKSA1
Infineon Technologies - IPP110N20N3GXKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP110N20N3GXKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 88A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7100 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP110N20N3GXKSA1

Attributs du produit IPP110N20N3GXKSA1 IPP120N04S3-02 IPP114N03LG IPP111N15N3
Modèle de produit IPP110N20N3GXKSA1 IPP120N04S3-02 IPP114N03LG IPP111N15N3
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies INFIONE
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 38W (Tc) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 88A, 10V 2.3mOhm @ 80A, 10V 11.4mOhm @ 30A, 10V -
Séries OptiMOS™ OptiMOS® OptiMOS™ -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4V @ 230µA 2.2V @ 250µA -
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Bulk Bulk -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7100 pF @ 100 V 14300 pF @ 25 V 1500 pF @ 15 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc) 120A (Tc) 30A (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 200 V 40 V 30 V -
Numéro de produit de base IPP110 - - -

Fiche technique IPP110N20N3GXKSA1 PDF

Téléchargez IPP110N20N3GXKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPP110N20N3GXKSA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T 26/Apr/2021.pdf

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L'Europe  Allemagne 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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