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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP100P03P3L-04
IPP100P03P3L-04 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP100P03P3L-04 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP100P03P3L-04
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP100P03P3L-04
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPx100P03P3L-04.pdf
En stock: 4670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP100P03P3L-04
Infineon Technologies - IPP100P03P3L-04 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP100P03P3L-04

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 475µA  
Vgs (Max) +5V, -16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP100P  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP100P03P3L-04

Attributs du produit IPP100P03P3L-04 IPP100N06S3L-03 IPP10N03 IPP110N20N3G
Modèle de produit IPP100P03P3L-04 IPP100N06S3L-03 IPP10N03 IPP110N20N3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Type de montage Through Hole Through Hole - -
Fonction FET - - - -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ - -
Numéro de produit de base IPP100P IPP100N - -
type de FET P-Channel N-Channel - -
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 80A, 10V 3mOhm @ 80A, 10V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 475µA 2.2V @ 230µA - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 550 nC @ 10 V - -
Emballer Tube Tube - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 - -
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 300W (Tc) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) - -
Vgs (Max) +5V, -16V ±16V - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 55 V - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 5V, 10V - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9300 pF @ 25 V 26240 pF @ 25 V - -

Fiche technique IPP100P03P3L-04 PDF

Téléchargez IPP100P03P3L-04 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPP100P03P3L-04 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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