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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP027N08N5AKSA1
IPP027N08N5AKSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP027N08N5AKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP027N08N5AKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP027N08N5AKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP027N08N5AKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 12318

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP027N08N5AKSA1
Infineon Technologies - IPP027N08N5AKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP027N08N5AKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 154µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP027  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP027N08N5AKSA1

Attributs du produit IPP027N08N5AKSA1 IPP023NE7N3G IPP023N10N5AKSA1 IPP024N06N3G
Modèle de produit IPP027N08N5AKSA1 IPP023NE7N3G IPP023N10N5AKSA1 IPP024N06N3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 40 V 14400 pF @ 37.5 V 15600 pF @ 50 V 23000 pF @ 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 154µA 3.8V @ 273µA 3.8V @ 270µA 4V @ 196µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Tension drain-source (Vdss) 80 V 75 V 100 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 275 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IPP027 IPP023N IPP023 -
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc) 300W (Tc) 375W (Tc) 250W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 10V 6V, 10V 10V

Fiche technique IPP027N08N5AKSA1 PDF

Téléchargez IPP027N08N5AKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPP027N08N5AKSA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Assemblage / origine PCN
OptiMOS A/T Chgs 2/Dec/2021.pdf

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