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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPL60R385CP
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPL60R385CP - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPL60R385CP
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPL60R385CP
Modèle ECAD
Description des pièces
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
4-PowerTSFN
Fiche technique
IPL60R385CP.pdf
État RoHS
En stock: 5100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPL60R385CP
Infineon Technologies - IPL60R385CP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPL60R385CP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-VSON-4-1  
Séries CoolMOS™ CP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)  
Package / Boîte 4-PowerTSFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPL60R385CP

Attributs du produit IPL60R385CP IPL65R195C7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1
Modèle de produit IPL60R385CP IPL65R195C7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 650 V 600 V 600 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc) 75W (Tc) 59W (Tc) 46W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 100 V 1150 pF @ 400 V 761 pF @ 400 V 555 pF @ 400 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc) 12A (Tc) 13A (Tc) 10A (Tc)
Package / Boîte 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V 195mOhm @ 2.9A, 10V 285mOhm @ 3.8A, 10V 365mOhm @ 2.7A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA 4V @ 290µA 4V @ 190µA 4V @ 140µA
Séries CoolMOS™ CP CoolMOS™ C7 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P7
Package composant fournisseur PG-VSON-4-1 PG-VSON-4 PG-VSON-4 PG-VSON-4
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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