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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPL60R185P7AUMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPL60R185P7AUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPL60R185P7AUMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Description détaillée
Emballage
4-PowerTSFN
Fiche technique
IPL60R185P7AUMA1.pdf
État RoHS
En stock: 24198

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies - IPL60R185P7AUMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPL60R185P7AUMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 280µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-VSON-4  
Séries CoolMOS™ P7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 81W (Tc)  
Package / Boîte 4-PowerTSFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1081 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc)  
Numéro de produit de base IPL60R  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPL60R185P7AUMA1

Attributs du produit IPL60R185P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 IPL60R255P6
Modèle de produit IPL60R185P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 IPL60R255P6
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Package composant fournisseur PG-VSON-4 PG-VSON-4 PG-VSON-4 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Dissipation de puissance (max) 81W (Tc) 111W (Tc) 59W (Tc) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc) 27A (Tc) 13A (Tc) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1081 pF @ 400 V 1544 pF @ 400 V 761 pF @ 400 V -
Séries CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P7 -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 280µA 4V @ 410µA 4V @ 190µA -
Numéro de produit de base IPL60R IPL60R IPL60R285 -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Package / Boîte 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 5.6A, 10V 125mOhm @ 8.2A, 10V 285mOhm @ 3.8A, 10V -

Fiche technique IPL60R185P7AUMA1 PDF

Téléchargez IPL60R185P7AUMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPL60R185P7AUMA1 - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Device MSL Update 4/Sep/2017.pdf

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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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