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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPL60R075CFD7AUMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPL60R075CFD7AUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPL60R075CFD7AUMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Description détaillée
Emballage
4-PowerTSFN
Fiche technique
IPL60R075CFD7AUMA1.pdf
État RoHS
En stock: 9924

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies - IPL60R075CFD7AUMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPL60R075CFD7AUMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 760µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-VSON-4  
Séries CoolMOS™ CFD7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 15.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 189W (Tc)  
Package / Boîte 4-PowerTSFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2721 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)  
Numéro de produit de base IPL60R075  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPL60R075CFD7AUMA1

Attributs du produit IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1
Modèle de produit IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 15.1A, 10V 105mOhm @ 10.5A, 10V - 60mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 760µA 4V @ 530µA - 4.5V @ 900µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 189W (Tc) 137W (Tc) - 219W (Tc)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur PG-VSON-4 PG-VSON-4 - PG-VSON-4
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V - 600 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) - -40°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc) 33A (Tc) 22A (Tc) 40A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
type de FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Package / Boîte 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN - 4-PowerTSFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2721 pF @ 400 V 1952 pF @ 400 V - 3193 pF @ 400 V
Séries CoolMOS™ CFD7 CoolMOS™ P7 - CoolMOS™ CFD7
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V - 79 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IPL60R075 IPL60R IPL60R IPL60R060

Fiche technique IPL60R075CFD7AUMA1 PDF

Téléchargez IPL60R075CFD7AUMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPL60R075CFD7AUMA1 - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 18/Oct/2021.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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