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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPI072N10N3G
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPI072N10N3G - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPI072N10N3G
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPI072N10N3G
Modèle ECAD
Description des pièces
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IPI072N10N3G.pdf
En stock: 46307

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPI072N10N3G
Infineon Technologies - IPI072N10N3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPI072N10N3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO262-3-1  
Séries OptiMOS® 3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPI072N10N3G

Attributs du produit IPI072N10N3G IPI052NE7N3G IPI041N12N3G IPI034NE7N3G
Modèle de produit IPI072N10N3G IPI052NE7N3G IPI041N12N3G IPI034NE7N3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 150W (Tc) - 214W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries OptiMOS® 3 OptiMOS™ - OptiMOS™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA - TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V - 117 nC @ 10 V
Emballer Bulk Bulk - Bulk
Package composant fournisseur PG-TO262-3-1 PG-TO262-3 - PG-TO262-3
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 80A, 10V 5.2mOhm @ 80A, 10V - 3.4mOhm @ 100A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole - Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 75 V - 75 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) - 100A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V 4750 pF @ 37.5 V - 8130 pF @ 37.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 10V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA 3.8V @ 91µA - 3.8V @ 155µA

Mode de transport

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Les articles en stock peuvent être expédiés dans les 24 heures.Certaines pièces seront organisées pour la livraison dans les 1 à 2 jours à compter de la date à laquelle tous les articles arrivent à notre entrepôt.Et Allelco Ships commande une fois par jour vers 17h00, sauf dimanche.Une fois les marchandises expédiées, le délai de livraison estimé dépend des méthodes d'expédition et de la destination de livraison.Le tableau ci-dessous montre le moment logistique de certains pays communs.

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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