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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPG20N10S4L22ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPG20N10S4L22ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPG20N10S4L22ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IPG20N10S4L22ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 60460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies - IPG20N10S4L22ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPG20N10S4L22ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4  
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V  
Puissance - Max 60W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1755pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IPG20N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPG20N10S4L22ATMA1

Attributs du produit IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L11ATMA2 IPG20N06S4L11ATMA1
Modèle de produit IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L11ATMA2 IPG20N06S4L11ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Puissance - Max 60W 50W 65W (Tc) 65W
Tension drain-source (Vdss) 100V 60V 60V 60V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V 13.7mOhm @ 17A, 10V 11.2mOhm @ 17A, 10V 11.2mOhm @ 17A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount
Numéro de produit de base IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1755pF @ 25V 2890pF @ 25V 4020pF @ 25V 4020pF @ 25V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA 2.2V @ 20µA 2.2V @ 28µA 2.2V @ 28µA
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8-4
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 39nC @ 10V 53nC @ 10V 53nC @ 10V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A 20A 20A (Tc) 20A

Fiche technique IPG20N10S4L22ATMA1 PDF

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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