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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIPG20N06S415AATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPG20N06S415AATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPG20N06S415AATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPG20N06S415AATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IPG20N06S415AATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 4960

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPG20N06S415AATMA1
Infineon Technologies - IPG20N06S415AATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPG20N06S415AATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-10  
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V  
Puissance - Max 50W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount, Wettable Flank  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IPG20N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPG20N06S415AATMA1

Attributs du produit IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S3L-23 IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S2L50ATMA1
Modèle de produit IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S3L-23 IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S2L50ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V 23mOhm @ 16A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V 50mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Puissance - Max 50W 45W 50W 51W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V 2950pF @ 25V 2260pF @ 25V 560pF @ 25V
Fonction FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V 42nC @ 10V 29nC @ 10V 17nC @ 10V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A 20A 20A 20A
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Tension drain-source (Vdss) 60V 55V 60V 55V
Numéro de produit de base IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA 2.2V @ 20µA 4V @ 20µA 2V @ 19µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique IPG20N06S415AATMA1 PDF

Téléchargez IPG20N06S415AATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPG20N06S415AATMA1 - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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