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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIPG20N04S4L11AATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPG20N04S4L11AATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPG20N04S4L11AATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPG20N04S4L11AATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IPG20N04S4L11AATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 69210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPG20N04S4L11AATMA1
Infineon Technologies - IPG20N04S4L11AATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPG20N04S4L11AATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-10  
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V  
Puissance - Max 41W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount, Wettable Flank  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IPG20N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPG20N04S4L11AATMA1

Attributs du produit IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Modèle de produit IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A 20A 20A 20A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 40V 40V 55V 40V
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8
Type de montage Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V 50nC @ 10V 17nC @ 10V 28nC @ 10V
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Numéro de produit de base IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V 3980pF @ 25V 560pF @ 25V 2250pF @ 25V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V 7.2mOhm @ 17A, 10V 50mOhm @ 15A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 41W 65W 51W 54W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA 2.2V @ 30µA 2V @ 19µA 4V @ 22µA

Fiche technique IPG20N04S4L11AATMA1 PDF

Téléchargez IPG20N04S4L11AATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPG20N04S4L11AATMA1 - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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