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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIPG15N06S3L-45
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPG15N06S3L-45 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPG15N06S3L-45
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPG15N06S3L-45
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IPG15N06S3L-45.pdf
En stock: 4070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPG15N06S3L-45
Infineon Technologies - IPG15N06S3L-45 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPG15N06S3L-45

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 10V  
Puissance - Max 21W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 55V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IPG15N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPG15N06S3L-45

Attributs du produit IPG15N06S3L-45 IPG20N04S4-08 IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Modèle de produit IPG15N06S3L-45 IPG20N04S4-08 IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Puissance - Max 21W 65W (Tc) 65W 54W (Tc)
Séries OptiMOS™ OptiMOS™T2 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 36nC @ 10V 50nC @ 10V 28nC @ 10V
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 10V 7.6mOhm @ 17A, 10V 7.2mOhm @ 17A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA 4V @ 30µA 2.2V @ 30µA 4V @ 22µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A 20A (Tc) 20A 20A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 25V 2940pF @ 25V 3980pF @ 25V 2250pF @ 25V
Tension drain-source (Vdss) 55V 40V 40V 40V
Numéro de produit de base IPG15N IPG20N IPG20N IPG20N

Fiche technique IPG15N06S3L-45 PDF

Téléchargez IPG15N06S3L-45 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPG15N06S3L-45 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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