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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD65R380E6
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD65R380E6 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD65R380E6
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD65R380E6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD65R380E6.pdf
État RoHS
En stock: 37756

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD65R380E6
Infineon Technologies - IPD65R380E6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD65R380E6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 320µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-313  
Séries CoolMOS™ E6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.6A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD65R380E6

Attributs du produit IPD65R380E6 IPD65R660CFD IPD65R380C6ATMA1 IPD65R650CEATMA1
Modèle de produit IPD65R380E6 IPD65R660CFD IPD65R380C6ATMA1 IPD65R650CEATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.2A, 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V 650mOhm @ 2.1A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.6A (Tc) 6A (Tc) 10.6A (Tc) 10.1A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 320µA 4.5V @ 200µA 3.5V @ 320µA 3.5V @ 210µA
Séries CoolMOS™ E6 CoolMOS™ CFD2 CoolMOS™ C6 CoolMOS™
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc) 62.5W (Tc) 83W (Tc) 86W (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 PG-TO252-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 100 V 615 pF @ 100 V 710 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 650 V 650 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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