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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD50R520CPATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD50R520CPATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD50R520CPATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD50R520CPATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
LOW POWER_LEGACY
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD50R520CPATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 4040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD50R520CPATMA1
Infineon Technologies - IPD50R520CPATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD50R520CPATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-313  
Séries CoolMOS™ CP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 66W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD50R520  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD50R520CPATMA1

Attributs du produit IPD50R520CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 IPD50R500CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1
Modèle de produit IPD50R520CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 IPD50R500CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 13V 13V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.1A (Tc) 9A (Tc) 7.6A (Tc) 4.3A (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 PG-TO252-3-344
Dissipation de puissance (max) 66W (Tc) 83W (Tc) 57W (Tc) 53W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ CP CoolMOS™ CP CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 330µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 100µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V 399mOhm @ 4.9A, 10V 500mOhm @ 2.3A, 13V 950mOhm @ 1.2A, 13V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V 890 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 231 pF @ 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IPD50R520 IPD50R IPD50R500 IPD50R950
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IPD50R520CPATMA1 PDF

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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