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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD50N06S3L-06
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD50N06S3L-06 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD50N06S3L-06
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD50N06S3L-06
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD50N06S3L-06.pdf
État RoHS
En stock: 5000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD50N06S3L-06
Infineon Technologies - IPD50N06S3L-06 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD50N06S3L-06

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11  
Séries OptiMOS-T  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Surface Mount  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A  
Numéro de produit de base IPD50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD50N06S3L-06

Attributs du produit IPD50N06S3L-06 IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S2-14 IPD50N06S2L13ATMA2
Modèle de produit IPD50N06S3L-06 IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S2-14 IPD50N06S2L13ATMA2
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Numéro de produit de base IPD50 IPD50 - IPD50
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 10V 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 9mOhm @ 50A, 10V 14.4mOhm @ 32A, 10V 12.7mOhm @ 34A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 60 V 55 V 55 V
Séries OptiMOS-T Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ - OptiMOS™
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id - 4V @ 34µA 4V @ 80µA 2V @ 80µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) - 71W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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