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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD50N03S2L06ATMA1
IPD50N03S2L06ATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD50N03S2L06ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD50N03S2L06ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD50N03S2L06ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD50N03S2L06ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 24471

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD50N03S2L06ATMA1
Infineon Technologies - IPD50N03S2L06ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD50N03S2L06ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 85µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11  
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD50N03S2L06ATMA1

Attributs du produit IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S2-07
Modèle de produit IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S2-07
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-1
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc) 136W (Tc) 56W (Tc) 136W (Tc)
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 85µA 4V @ 85µA 2.2V @ 20µA 4V @ 85µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 2330 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V
Numéro de produit de base IPD50 IPD50 IPD50 IPD50
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 50A, 10V 7.3mOhm @ 50A, 10V 5.5mOhm @ 50A, 10V 7.3mOhm @ 50A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique IPD50N03S2L06ATMA1 PDF

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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