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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD40DP06NMATMA1
IPD40DP06NMATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD40DP06NMATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD40DP06NMATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD40DP06NMATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
Power, Sensing Selection Guide 2021.pdf
État RoHS
En stock: 94350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD40DP06NMATMA1
Infineon Technologies - IPD40DP06NMATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD40DP06NMATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 166µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-313  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 19W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD40DP06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD40DP06NMATMA1

Attributs du produit IPD40DP06NMATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1 IPD380P06NMATMA1 IPD50N03S2-07
Modèle de produit IPD40DP06NMATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1 IPD380P06NMATMA1 IPD50N03S2-07
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 60 V 30 V
Package composant fournisseur PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3-1
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.3A, 10V 8.3mOhm @ 40A, 10V 38mOhm @ 35A, 10V 7.3mOhm @ 50A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 30 V 1520 pF @ 15 V 2500 pF @ 30 V 2000 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc) 40A (Tc) 35A (Tc) 50A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 19W (Tc) 42W (Tc) 125W (Tc) 136W (Tc)
Séries OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 166µA 2.2V @ 13µA 4V @ 1.7mA 4V @ 85µA
Numéro de produit de base IPD40DP06 IPD40N03 IPD380 IPD50
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Fonction FET - - - -

Fiche technique IPD40DP06NMATMA1 PDF

Téléchargez IPD40DP06NMATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD40DP06NMATMA1 - Infineon Technologies.

Feuilles de données
Power, Sensing Selection Guide 2021.pdf
Assemblage / origine PCN
OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022.pdf

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Océanie Australie 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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