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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD220N06L3GBTMA1
IPD220N06L3GBTMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD220N06L3GBTMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD220N06L3GBTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD220N06L3GBTMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD220N06L3GBTMA1.pdf
État RoHS
En stock: 4830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD220N06L3GBTMA1
Infineon Technologies - IPD220N06L3GBTMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD220N06L3GBTMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 11µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 36W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD220  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD220N06L3GBTMA1

Attributs du produit IPD220N06L3GBTMA1 IPD20N03L IPD230N06LG IPD25CN10
Modèle de produit IPD220N06L3GBTMA1 IPD20N03L IPD230N06LG IPD25CN10
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 30 V 700 pF @ 25 V 1500 pF @ 30 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc) -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Dissipation de puissance (max) 36W (Tc) 60W (Tc) - -
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 -
Numéro de produit de base IPD220 IPD20N - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 11µA 2V @ 25µA 2V @ 49µA -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 11 nC @ 5 V 42 nC @ 10 V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 60 V -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 30A, 10V 20mOhm @ 15A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

Fiche technique IPD220N06L3GBTMA1 PDF

Téléchargez IPD220N06L3GBTMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD220N06L3GBTMA1 - Infineon Technologies.

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