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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD122N10N3GATMA1
IPD122N10N3GATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD122N10N3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD122N10N3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD122N10N3GATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD122N10N3GATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 65250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies - IPD122N10N3GATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD122N10N3GATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 46A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 59A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD122  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1

Attributs du produit IPD122N10N3GATMA1 IPD12CN10NG IPD12CN10N IPD127N06LGBTMA1
Modèle de produit IPD122N10N3GATMA1 IPD12CN10NG IPD12CN10N IPD127N06LGBTMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 59A (Tc) 67A (Tc) 67A (Tc) 50A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 60 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA 4V @ 83µA 4V @ 83µA 2V @ 80µA
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™ OptiMOS™
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V 4320 pF @ 50 V 4320 pF @ 50 V 2300 pF @ 30 V
Numéro de produit de base IPD122 - - IPD127
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 46A, 10V 12.4mOhm @ 67A, 10V 12.4mOhm @ 67A, 10V 12.7mOhm @ 50A, 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V

Fiche technique IPD122N10N3GATMA1 PDF

Téléchargez IPD122N10N3GATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD122N10N3GATMA1 - Infineon Technologies.

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Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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