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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD090N03LGATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD090N03LGATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD090N03LGATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD090N03LGATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 128310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD090N03LGATMA1
Infineon Technologies - IPD090N03LGATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD090N03LGATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD090  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD090N03LGATMA1

Attributs du produit IPD090N03LGATMA1 IPD096N08N3GATMA1 IPD09N03L IPD088N06N3G
Modèle de produit IPD090N03LGATMA1 IPD096N08N3GATMA1 IPD09N03L IPD088N06N3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies VBSEMI Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 80 V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 3.5V @ 46µA - -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ - -
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 100W (Tc) - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V 9.6mOhm @ 46A, 10V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) 73A (Tc) - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V 2410 pF @ 40 V - -
Numéro de produit de base IPD090 IPD096 - -
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 - -
type de FET N-Channel N-Channel - -

Fiche technique IPD090N03LGATMA1 PDF

Téléchargez IPD090N03LGATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD090N03LGATMA1 - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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