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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD075N03LGATMA1
IPD075N03LGATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD075N03LGATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD075N03LGATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD075N03LGATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD075N03LGATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 123100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD075N03LGATMA1
Infineon Technologies - IPD075N03LGATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD075N03LGATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD075  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD075N03LGATMA1

Attributs du produit IPD075N03LGATMA1 IPD06N03LBG IPD075N03LG 075N03L IPD075N03LG
Modèle de produit IPD075N03LGATMA1 IPD06N03LBG IPD075N03LG 075N03L IPD075N03LG
Fabricant Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Séries OptiMOS™ - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 15 V - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA - - -
Numéro de produit de base IPD075 - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V - - -
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc) - - -
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11 - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V - - -
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - - -
type de FET N-Channel - - -

Fiche technique IPD075N03LGATMA1 PDF

Téléchargez IPD075N03LGATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD075N03LGATMA1 - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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