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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD068P03L3GATMA1
IPD068P03L3GATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD068P03L3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD068P03L3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD068P03L3GATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD068P03L3GATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 73940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD068P03L3GATMA1
Infineon Technologies - IPD068P03L3GATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD068P03L3GATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 70A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7720 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD068  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD068P03L3GATMA1

Attributs du produit IPD068P03L3GATMA1 IPD06N03LAG IPD060N03LGATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Modèle de produit IPD068P03L3GATMA1 IPD06N03LAG IPD060N03LGATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 150µA 2V @ 40µA 2.2V @ 250µA 3.5V @ 90µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7720 pF @ 15 V 2653 pF @ 15 V 2400 pF @ 15 V 4910 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 70A, 10V 5.7mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 6.8mOhm @ 90A, 10V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V 23 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IPD068 - IPD060 IPD068
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc) 83W (Tc) 56W (Tc) 150W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 25 V 30 V 100 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 90A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V

Fiche technique IPD068P03L3GATMA1 PDF

Téléchargez IPD068P03L3GATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD068P03L3GATMA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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