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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD042P03L3GATMA1
IPD042P03L3GATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD042P03L3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD042P03L3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD042P03L3GATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD042P03L3GATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 40059

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD042P03L3GATMA1
Infineon Technologies - IPD042P03L3GATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD042P03L3GATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12400 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD042  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD042P03L3GATMA1

Attributs du produit IPD042P03L3GATMA1 IPD040N03LG IPD046N08N5ATMA1 IPD048N06L3G 048N06L
Modèle de produit IPD042P03L3GATMA1 IPD040N03LG IPD046N08N5ATMA1 IPD048N06L3G 048N06L
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Séries OptiMOS™ OptiMOS® 3 OptiMOS™ -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 80 V -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12400 pF @ 15 V 3900 pF @ 15 V 3800 pF @ 40 V -
Numéro de produit de base IPD042 - IPD046 -
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 4.6mOhm @ 45A, 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 270µA 2.2V @ 250µA 3.8V @ 65µA -
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V -
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 79W (Tc) 125W (Tc) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V -

Fiche technique IPD042P03L3GATMA1 PDF

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Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Cover Tape Width Update 17/Jun/2015.pdf Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015.pdf

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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