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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPC100N04S52R8ATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPC100N04S52R8ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPC100N04S52R8ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPC100N04S52R8ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IPC100N04S52R8ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 67880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPC100N04S52R8ATMA1
Infineon Technologies - IPC100N04S52R8ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPC100N04S52R8ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 30µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-34  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IPC100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPC100N04S52R8ATMA1

Attributs du produit IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1
Modèle de produit IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 3770 pF @ 25 V 8250 pF @ 25 V 7650 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™
Numéro de produit de base IPC100 IPC100 IPC100 IPC100
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 30µA 3.4V @ 50µA 2V @ 90µA 3.4V @ 90µA
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7V, 10V 7V, 10V 4.5V, 10V 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

Fiche technique IPC100N04S52R8ATMA1 PDF

Téléchargez IPC100N04S52R8ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPC100N04S52R8ATMA1 - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPCyyN04S5 Assembly Chgs 23/Oct/2018.pdf

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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