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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB067N08N3GATMA1
IPB067N08N3GATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB067N08N3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB067N08N3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB067N08N3GATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPx067,70N08N3 G.pdf
État RoHS
En stock: 27976

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB067N08N3GATMA1
Infineon Technologies - IPB067N08N3GATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB067N08N3GATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 73A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB067  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB067N08N3GATMA1

Attributs du produit IPB067N08N3GATMA1 IPB065N06LG IPB065N10N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1
Modèle de produit IPB067N08N3GATMA1 IPB065N06LG IPB065N10N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 40 V 5100 pF @ 30 V 4910 pF @ 50 V 7300 pF @ 75 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 80 V 60 V 100 V 150 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 157 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA 2V @ 180µA 3.5V @ 90µA 4V @ 270µA
Package composant fournisseur PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-7
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 73A, 10V 6.2mOhm @ 80A, 10V 6.5mOhm @ 80A, 10V 6.5mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base IPB067 - IPB065 IPB065
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc) 250W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 130A (Tc)
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Fiche technique IPB067N08N3GATMA1 PDF

Téléchargez IPB067N08N3GATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB067N08N3GATMA1 - Infineon Technologies.

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Emballage PCN
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Feuilles de données
IPx067,70N08N3 G.pdf

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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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