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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB0401NM5SATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB0401NM5SATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB0401NM5SATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB0401NM5SATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
TRENCH >=100V
Description détaillée
Emballage
Fiche technique
IPB0401NM5SATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 10444

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB0401NM5SATMA1
Infineon Technologies - IPB0401NM5SATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB0401NM5SATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie -  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -  
type de FET -  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Numéro de produit de base IPB0401  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB0401NM5SATMA1

Attributs du produit IPB0401NM5SATMA1 IPB037N06N3GATMA1 IPB03N03LAG IPB042N10N3GATMA1
Modèle de produit IPB0401NM5SATMA1 IPB037N06N3GATMA1 IPB03N03LAG IPB042N10N3GATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 90A (Tc) 80A (Tc) 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 3.7mOhm @ 90A, 10V 2.7mOhm @ 55A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V
Numéro de produit de base IPB0401 IPB037 - IPB042
Vgs (th) (Max) @ Id - 4V @ 90µA 2V @ 100µA 3.5V @ 150µA
Séries - OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
type de FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) - 188W (Tc) 150W (Tc) 214W (Tc)
Température de fonctionnement - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
La technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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