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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB023N04NG
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB023N04NG - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB023N04NG
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB023N04NG
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB023N04NG.pdf
État RoHS
En stock: 4250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB023N04NG
Infineon Technologies - IPB023N04NG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB023N04NG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 95µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries OptiMOS™3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 90A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB023N04NG

Attributs du produit IPB023N04NG IPB024N08N5ATMA1 IPB021N06N3G IPB020N10N5ATMA1
Modèle de produit IPB023N04NG IPB024N08N5ATMA1 IPB021N06N3G IPB020N10N5ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc) 214W (Tc) 250W (Tc) 375W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 20 V 8970 pF @ 40 V 23000 pF @ 30 V 15600 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 90A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 95µA 3.8V @ 154µA 4V @ 196µA 3.8V @ 270µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V 275 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension drain-source (Vdss) 40 V 80 V 60 V 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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