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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB019N06L3GATMA1
IPB019N06L3GATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB019N06L3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB019N06L3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB019N06L3GATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB019N06L3GATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 15958

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Spécifications

Spécifications techniques IPB019N06L3GATMA1
Infineon Technologies - IPB019N06L3GATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB019N06L3GATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 196µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 166 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB019  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB019N06L3GATMA1

Attributs du produit IPB019N06L3GATMA1 IPB017N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 IPB019N08N3GATMA1
Modèle de produit IPB019N06L3GATMA1 IPB017N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 IPB019N08N3GATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Package composant fournisseur PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-7
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 166 nC @ 4.5 V 223 nC @ 10 V 166 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IPB019 IPB017 IPB020 IPB019
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 30 V 16900 pF @ 40 V 12100 pF @ 40 V 14200 pF @ 40 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 196µA 3.8V @ 280µA 3.8V @ 208µA 3.5V @ 270µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 180A (Tc)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 80 V 80 V 80 V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™

Fiche technique IPB019N06L3GATMA1 PDF

Téléchargez IPB019N06L3GATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB019N06L3GATMA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018.pdf

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