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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPA95R450P7XKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPA95R450P7XKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPA95R450P7XKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 950V 14A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IPA95R450P7XKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 22622

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies - IPA95R450P7XKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPA95R450P7XKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 360µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-FP  
Séries CoolMOS™ P7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1053 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 950 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base IPA95R450  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPA95R450P7XKSA1

Attributs du produit IPA95R450P7XKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 IPA90R800C3 IPA90R1K2C3XKSA1
Modèle de produit IPA95R450P7XKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 IPA90R800C3 IPA90R1K2C3XKSA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur PG-TO220-FP PG-TO220-FP PG-TO220 Full Pack PG-TO220-FP
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 16.4 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.2A, 10V 360mOhm @ 3A, 10V 800mOhm @ 4.1A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 360µA 3.5V @ 150µA 3.5V @ 460µA 3.5V @ 310µA
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IPA95R450 IPAN70 - IPA90R
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Séries CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS™
Tension drain-source (Vdss) 950 V 700 V 900 V 900 V
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 26.5W (Tc) 33W (Tc) 31W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1053 pF @ 400 V 517 pF @ 400 V 1100 pF @ 100 V 710 pF @ 100 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 12.5A (Tc) 6.9A (Tc) 5.1A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IPA95R450P7XKSA1 PDF

Téléchargez IPA95R450P7XKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPA95R450P7XKSA1 - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Chgs 13/Oct/2020.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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