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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPA80R650CEXKSA2 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPA80R650CEXKSA2
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPA80R650CEXKSA2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IPA80R650CEXKSA2.pdf
État RoHS
En stock: 43657

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies - IPA80R650CEXKSA2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPA80R650CEXKSA2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 470µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3F  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta)  
Numéro de produit de base IPA80R650  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPA80R650CEXKSA2

Attributs du produit IPA80R650CEXKSA2 IPA90R1K2C3XKSA1 IPA80R1K4P7 IPA80R310CE
Modèle de produit IPA80R650CEXKSA2 IPA90R1K2C3XKSA1 IPA80R1K4P7 IPA80R310CE
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur TO-220-3F PG-TO220-FP PG-TO220-3-31 Full Pack PG-TO220 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 470µA 3.5V @ 310µA 3.5V @ 70µA 3.9V @ 1mA
Tension drain-source (Vdss) 800 V 900 V 800 V 800 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta) 5.1A (Tc) 4A (Tc) 16.7A (Tc)
Séries CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V 710 pF @ 100 V 250 pF @ 500 V 2320 pF @ 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 1.4Ohm @ 1.4A, 10V 310mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc) 31W (Tc) 24W (Tc) 35W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IPA80R650 IPA90R - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Bulk Bulk

Fiche technique IPA80R650CEXKSA2 PDF

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Autres documents connexes
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Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Chgs 13/Oct/2020.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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