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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleIKW30N65ES5XKSA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IKW30N65ES5XKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IKW30N65ES5XKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IKW30N65ES5XKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IKW30N65ES5XKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 10650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IKW30N65ES5XKSA1
Infineon Technologies - IKW30N65ES5XKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IKW30N65ES5XKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A  
Condition de test 400V, 30A, 13Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/124ns  
énergie de commutation 560µJ (on), 320µJ (off)  
Package composant fournisseur PG-TO247-3  
Séries TrenchStop™  
Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns  
Puissance - Max 188 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench  
gate charge 70 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 62 A  
Numéro de produit de base IKW30N65  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1

Attributs du produit IKW30N65ES5XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 IKW30N60TFKSA1 IKW30N65NL5
Modèle de produit IKW30N65ES5XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 IKW30N60TFKSA1 IKW30N65NL5
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
gate charge 70 nC 285 nC 167 nC 168 nC
énergie de commutation 560µJ (on), 320µJ (off) 2.55mJ (on), 1.55mJ (off) 1.46mJ 560µJ (on), 1.35mJ (off)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A 160 A 90 A 120 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V 1200 V 600 V 650 V
Condition de test 400V, 30A, 13Ohm, 15V 600V, 40A, 9Ohm, 15V 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V 400V, 30A, 23Ohm, 15V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur PG-TO247-3 PG-TO247-3-41 PG-TO247-3-1 PG-TO247-3
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/124ns 27ns/315ns 23ns/254ns 59ns/283ns
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Puissance - Max 188 W 500 W 187 W 227 W
Courant - Collecteur (Ic) (max) 62 A 80 A 60 A 85 A
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A 2.15V @ 15V, 40A 2.05V @ 15V, 30A 1.35V @ 15V, 30A
Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns 400 ns 143 ns 59 ns
Numéro de produit de base IKW30N65 IKW40N120 IKW30N60 -
type de IGBT Trench Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Séries TrenchStop™ TrenchStop™ TrenchStop® TrenchStop™ 5

Fiche technique IKW30N65ES5XKSA1 PDF

Téléchargez IKW30N65ES5XKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IKW30N65ES5XKSA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Conception / spécification PCN
Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 18/Jan/2021.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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