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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleIDW30G65C5XKSA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IDW30G65C5XKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IDW30G65C5XKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IDW30G65C5XKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IDW30G65C5XKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 5605

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IDW30G65C5XKSA1
Infineon Technologies - IDW30G65C5XKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IDW30G65C5XKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 30 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur PG-TO247-3  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries CoolSiC™+  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 220 µA @ 650 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 30A  
Capacité à Vr, F 860pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base IDW30G65  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IDW30G65C5XKSA1

Attributs du produit IDW30G65C5XKSA1 IDW40E65D1 IDW40E65D2 IDW30E65D1
Modèle de produit IDW30G65C5XKSA1 IDW40E65D1 IDW40E65D2 IDW30E65D1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Capacité à Vr, F 860pF @ 1V, 1MHz - - -
Emballer Tube Bulk Bulk Bulk
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Rectifié moyenne (Io) 30A 80A 80A 60A
Courant - fuite, inverse à Vr 220 µA @ 650 V 40 µA @ 650 V 40 µA @ 650 V 40 µA @ 650 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 30 A 1.7 V @ 40 A 2.3 V @ 40 A 1.7 V @ 30 A
Package composant fournisseur PG-TO247-3 PG-TO247-3-1 PG-TO247-3 PG-TO247-3-1
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries CoolSiC™+ - IDW -
Numéro de produit de base IDW30G65 - - -
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 650 V
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Standard Standard Standard
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 129 ns 75 ns 115 ns

Fiche technique IDW30G65C5XKSA1 PDF

Téléchargez IDW30G65C5XKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IDW30G65C5XKSA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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