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IDK06G65C5XTMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IDK06G65C5XTMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IDK06G65C5XTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IDK06G65C5XTMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARB 650V 6A TO263-2
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IDK06G65C5XTMA1.pdf
État RoHS
En stock: 5320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IDK06G65C5XTMA1
Infineon Technologies - IDK06G65C5XTMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IDK06G65C5XTMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.8 V @ 6 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur PG-TO263-2  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries CoolSiC™+  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 1.1 mA @ 650 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A  
Capacité à Vr, F 190pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base IDK06G65  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IDK06G65C5XTMA1

Attributs du produit IDK06G65C5XTMA1 BAS21T EP04RA60 R5010815XXWA
Modèle de produit IDK06G65C5XTMA1 BAS21T EP04RA60 R5010815XXWA
Fabricant Infineon Technologies Yangjie Technology KYOCERA AVX Powerex Inc.
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -65°C ~ 200°C
Package composant fournisseur PG-TO263-2 SOT-523 SOD-123 DO-205AA (DO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Stud Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Numéro de produit de base IDK06G65 BAS21 - R5010815
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 50 ns 40 ns 7 µs
Courant - fuite, inverse à Vr 1.1 mA @ 650 V 100 nA @ 250 V 10 µA @ 600 V 30 mA @ 800 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.8 V @ 6 A 1 V @ 100 mA 1.32 V @ 400 mA -
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Standard Standard Standard, Reverse Polarity
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V 250 V 600 V 800 V
Séries CoolSiC™+ - - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A 200mA 400mA 150A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SOT-523 SOD-123 DO-205AA, DO-8, Stud
Capacité à Vr, F 190pF @ 1V, 1MHz 5pF @ 0V, 1MHz - -

Fiche technique IDK06G65C5XTMA1 PDF

Téléchargez IDK06G65C5XTMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IDK06G65C5XTMA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Mult Device Status CHG 24/Feb/2017.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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