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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleIDH02G65C5XKSA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IDH02G65C5XKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IDH02G65C5XKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IDH02G65C5XKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2-1
Description détaillée
Emballage
TO-220-2
Fiche technique
IDH02G65C5XKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 5200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IDH02G65C5XKSA1
Infineon Technologies - IDH02G65C5XKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IDH02G65C5XKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 2 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur PG-TO220-2-1  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries CoolSiC™+  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-2  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 35 µA @ 650 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 2A  
Capacité à Vr, F 70pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base IDH02G65  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IDH02G65C5XKSA1

Attributs du produit IDH02G65C5XKSA1 IDH05G120C5XKSA1 IDH03SG60C IDH05S120
Modèle de produit IDH02G65C5XKSA1 IDH05G120C5XKSA1 IDH03SG60C IDH05S120
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur PG-TO220-2-1 PG-TO220-2-1 PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries CoolSiC™+ CoolSiC™+ CoolSiC™+ -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 2 A 1.8 V @ 5 A 2.3 V @ 3 A -
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
Courant - Rectifié moyenne (Io) 2A 5A 3A -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns 0 ns -
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V 1200 V 600 V -
Numéro de produit de base IDH02G65 IDH05G120 - -
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) -
Capacité à Vr, F 70pF @ 1V, 1MHz 301pF @ 1V, 1MHz 60pF @ 1V, 1MHz -
Courant - fuite, inverse à Vr 35 µA @ 650 V 33 µA @ 1200 V 15 µA @ 600 V -
Package / Boîte TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

Fiche technique IDH02G65C5XKSA1 PDF

Téléchargez IDH02G65C5XKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IDH02G65C5XKSA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Mult Device Status CHG 24/Feb/2017.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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