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Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IDDD16G65C6XTMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IDDD16G65C6XTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IDDD16G65C6XTMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10
Description détaillée
Emballage
10-PowerSOP Module
Fiche technique
IDDD16G65C6XTMA1.pdf
État RoHS
En stock: 8955

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IDDD16G65C6XTMA1
Infineon Technologies - IDDD16G65C6XTMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IDDD16G65C6XTMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur PG-HDSOP-10-1  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries CoolSiC™+  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Package / Boîte 10-PowerSOP Module  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 53 µA @ 420 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 43A  
Capacité à Vr, F 783pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base IDDD16  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IDDD16G65C6XTMA1

Attributs du produit IDDD16G65C6XTMA1 IDD08SG60CXTMA2 IDDD355AA-M02 IDD20G120C5 D2012C5
Modèle de produit IDDD16G65C6XTMA1 IDD08SG60CXTMA2 IDDD355AA-M02 IDD20G120C5 D2012C5
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies DUREL Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V 600 V - -
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C - -
Package / Boîte 10-PowerSOP Module TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Numéro de produit de base IDDD16 IDD08SG60 - -
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns - -
Courant - fuite, inverse à Vr 53 µA @ 420 V 70 µA @ 600 V - -
Séries CoolSiC™+ CoolSiC™+ - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) - -
Capacité à Vr, F 783pF @ 1V, 1MHz 240pF @ 1V, 1MHz - -
Package composant fournisseur PG-HDSOP-10-1 PG-TO252-3 - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 43A 8A - -

Fiche technique IDDD16G65C6XTMA1 PDF

Téléchargez IDDD16G65C6XTMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IDDD16G65C6XTMA1 - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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