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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBTS282ZE3230AKSA2
BTS282ZE3230AKSA2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BTS282ZE3230AKSA2 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BTS282ZE3230AKSA2
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BTS282ZE3230AKSA2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Description détaillée
Emballage
TO-220-7
Fiche technique
BTS282ZE3230AKSA2.pdf
État RoHS
En stock: 9711

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BTS282ZE3230AKSA2
Infineon Technologies - BTS282ZE3230AKSA2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BTS282ZE3230AKSA2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-7-12  
Séries TEMPFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-7  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Temperature Sensing Diode  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 49 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base BTS282  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BTS282ZE3230AKSA2

Attributs du produit BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230 BTS247Z E3062A BTS282Z E3230
Modèle de produit BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230 BTS247Z E3062A BTS282Z E3230
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V
Fonction FET Temperature Sensing Diode - Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA 2V @ 240µA 2V @ 90µA 2V @ 240µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 33A (Tc) 80A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 120W (Tc) 300W (Tc)
Numéro de produit de base BTS282 - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur PG-TO220-7-12 PG-TO220-7-12 PG-TO263-5-2 P-TO220-7-230
Package / Boîte TO-220-7 TO-220-7 TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB TO-220-7
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V 18mOhm @ 12A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 1730 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET®
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 49 V 49 V 55 V 49 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique BTS282ZE3230AKSA2 PDF

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