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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBTS244Z E3043
BTS244Z E3043 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BTS244Z E3043 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BTS244Z E3043
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BTS244Z E3043
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-43
Description détaillée
Emballage
TO-220-5
Fiche technique
BTS244Z.pdf
En stock: 4380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BTS244Z E3043
Infineon Technologies - BTS244Z E3043 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BTS244Z E3043

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur P-TO220-5-43  
Séries TEMPFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-5  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2660 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Temperature Sensing Diode  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BTS244Z E3043

Attributs du produit BTS244Z E3043 BTS240AHKSA1 BTS244Z E3062A BTS247Z E3062A
Modèle de produit BTS244Z E3043 BTS240AHKSA1 BTS244Z E3062A BTS247Z E3062A
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2660 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 2660 pF @ 25 V 1730 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur P-TO220-5-43 PG-TO218-3-1 PG-TO220-5-62 PG-TO263-5-2
Fonction FET Temperature Sensing Diode - Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V - 130 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-5 TO-218-3 TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc) 58A (Tc) 35A (Tc) 33A (Tc)
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 50 V 55 V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 47A, 10V 13mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 12A, 10V
Séries TEMPFET® Automotive, AEC-Q101 TEMPFET® TEMPFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA 3.5V @ 1mA 2V @ 130µA 2V @ 90µA
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc) 170W 170W (Tc) 120W (Tc)

Fiche technique BTS244Z E3043 PDF

Téléchargez BTS244Z E3043 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BTS244Z E3043 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
BTS244Z.pdf
PCN Obsolescence / EOL
BTS244Z Devices 10/Sep/2013.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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