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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSZ16DN25NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSZ16DN25NS3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSZ16DN25NS3GATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSZ16DN25NS3GATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 33339

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies - BSZ16DN25NS3GATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSZ16DN25NS3GATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 32µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TSDSON-8  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.9A (Tc)  
Numéro de produit de base BSZ16DN25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSZ16DN25NS3GATMA1

Attributs du produit BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3G BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1
Modèle de produit BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3G BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 32µA 4V @ 13µA 3.1V @ 48µA 4.6V @ 32µA
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tension drain-source (Vdss) 250 V 200 V 30 V 150 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.9A (Tc) 7A (Tc) 9A (Ta), 39.5A (Tc) 32A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc) 34W (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 5.5A, 10V 225mOhm @ 3.5A, 10V 18mOhm @ 20A, 10V 30mOhm @ 16A, 10V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 6V, 10V 8V, 10V
Package composant fournisseur PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-1 PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-FL
Numéro de produit de base BSZ16DN25 - BSZ180 BSZ300
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 100 V 430 pF @ 100 V 2220 pF @ 15 V 950 pF @ 75 V

Fiche technique BSZ16DN25NS3GATMA1 PDF

Téléchargez BSZ16DN25NS3GATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSZ16DN25NS3GATMA1 - Infineon Technologies.

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Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Material Chgs 22/Dec/2020.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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