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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSZ025N04LSATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSZ025N04LSATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSZ025N04LSATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSZ025N04LSATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSZ025N04LSATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 65640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSZ025N04LSATMA1
Infineon Technologies - BSZ025N04LSATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSZ025N04LSATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TSDSON-8-FL  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3680 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 40A (Tc)  
Numéro de produit de base BSZ025  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSZ025N04LSATMA1

Attributs du produit BSZ025N04LSATMA1 BSZ021N04LS6ATMA1 BSZ019N03LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1
Modèle de produit BSZ025N04LSATMA1 BSZ021N04LS6ATMA1 BSZ019N03LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 40 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ 6 OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3680 pF @ 20 V 2700 pF @ 20 V 2800 pF @ 15 V 1800 pF @ 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 40A (Tc) 25A (Ta), 40A (Tc) 22A (Ta). 40A (Tc) 19A (Ta), 40A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 1.9mOhm @ 20A, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V
Numéro de produit de base BSZ025 BSZ021 BSZ019 BSZ034
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique BSZ025N04LSATMA1 PDF

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