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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSS84PW L6327
BSS84PW L6327 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSS84PW L6327 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSS84PW L6327
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSS84PW L6327
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
BSS84PW Datasheet.pdf
En stock: 3770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSS84PW L6327
Infineon Technologies - BSS84PW L6327 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSS84PW L6327

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT323  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 150mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300mW (Ta)  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 19.1 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSS84PW L6327

Attributs du produit BSS84PW L6327 BSS84TA BSS84PW BSS84Q-13-F
Modèle de produit BSS84PW L6327 BSS84TA BSS84PW BSS84Q-13-F
Fabricant Infineon Technologies Diodes Incorporated Infineon Technologies Diodes Incorporated
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA 2V @ 1mA 2V @ 20µA 2V @ 1mA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 50 V 60 V 50 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 19.1 pF @ 25 V 40 pF @ 25 V 19.1 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries SIPMOS® - SIPMOS® Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 150mA, 10V 10Ohm @ 100mA, 5V 8Ohm @ 150mA, 10V 10Ohm @ 100mA, 5V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 300mW (Ta) 360mW (Ta) 300mW (Ta) 300mW (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150mA (Ta) 130mA (Ta) 150mA (Ta) 130mA (Ta)
Package / Boîte SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V - 1.5 nC @ 10 V 0.59 nC @ 10 V
Package composant fournisseur PG-SOT323 SOT-23-3 PG-SOT323 SOT-23-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 5V 4.5V, 10V 5V

Fiche technique BSS84PW L6327 PDF

Téléchargez BSS84PW L6327 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSS84PW L6327 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 30/Nov/2011.pdf
Feuilles de données
BSS84PW Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BSS84PW L6327

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32D-BSS84PW L6327

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