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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSS7728N
BSS7728N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSS7728N - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSS7728N
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSS7728N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
BSS7728N G.pdf
En stock: 4040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSS7728N
Infineon Technologies - BSS7728N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSS7728N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT23  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 56 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSS7728N

Attributs du produit BSS7728N BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS7728NH6327
Modèle de produit BSS7728N BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS7728NH6327
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 60 V 55 V - 60 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta) 540mA (Ta) - 200mA (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 26µA 2V @ 2.7µA - 2.3V @ 26µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V 2.26 nC @ 10 V - 1.5 nC @ 10 V
Package composant fournisseur PG-SOT23 PG-SOT23 - PG-SOT23-3-5
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) - 360mW (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Séries SIPMOS® OptiMOS™ * SIPMOS®
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V 650mOhm @ 270mA, 10V - 5Ohm @ 500mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 56 pF @ 25 V 75 pF @ 25 V - 56 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount

Fiche technique BSS7728N PDF

Téléchargez BSS7728N PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSS7728N - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 28/Mar/2008.pdf
Feuilles de données
BSS7728N G.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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