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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSS223PW L6327
BSS223PW L6327 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSS223PW L6327 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSS223PW L6327
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSS223PW L6327
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
BSS223PW.pdf
En stock: 4420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSS223PW L6327
Infineon Technologies - BSS223PW L6327 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSS223PW L6327

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT323  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 250mW (Ta)  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 56 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.62 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 390mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSS223PW L6327

Attributs du produit BSS223PW L6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS223PWL6327
Modèle de produit BSS223PW L6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS223PWL6327
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™P2 OptiMOS®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 390mA (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 390mA (Ta)
Dissipation de puissance (max) 250mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 250mW (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA 1.2V @ 11µA 600mV @ 11µA 1.2V @ 1.5µA
Package / Boîte SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 150mOhm @ 1.5A, 4.5V 150mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur PG-SOT323 PG-SOT23 PG-SOT23-3-5 PG-SOT323-3-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.62 nC @ 4.5 V 3.6 nC @ 4.5 V 3.6 nC @ 4.5 V 0.62 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 56 pF @ 15 V 346 pF @ 15 V 346 pF @ 15 V 56 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique BSS223PW L6327 PDF

Téléchargez BSS223PW L6327 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSS223PW L6327 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
BSS223PW.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 30/Nov/2011.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BSS223PW L6327

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