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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSS214NH6327XTSA1
BSS214NH6327XTSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSS214NH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSS214NH6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSS214NH6327XTSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
BSS214NH6327XTSA1.pdf
État RoHS
En stock: 343620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSS214NH6327XTSA1
Infineon Technologies - BSS214NH6327XTSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSS214NH6327XTSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT23  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 143 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta)  
Numéro de produit de base BSS214  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSS214NH6327XTSA1

Attributs du produit BSS214NH6327XTSA1 BSS214NWH6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327
Modèle de produit BSS214NH6327XTSA1 BSS214NWH6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 5 V 0.8 nC @ 5 V 0.8 nC @ 5 V 3.6 nC @ 4.5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Package composant fournisseur PG-SOT23 PG-SOT323-3-2 PG-SOT323 PG-SOT23-3-5
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA 1.2V @ 3.7µA 1.2V @ 3.7µA 600mV @ 11µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Numéro de produit de base BSS214 - BSS214 -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 143 pF @ 10 V 143 pF @ 10 V 143 pF @ 10 V 346 pF @ 15 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
Fonction FET - - - -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™ OptiMOS™P2
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel

Fiche technique BSS214NH6327XTSA1 PDF

Téléchargez BSS214NH6327XTSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSS214NH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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