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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSP88E6327
BSP88E6327 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSP88E6327 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSP88E6327
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSP88E6327
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
BSP88.pdf
En stock: 5360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSP88E6327
Infineon Technologies - BSP88E6327 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSP88E6327

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 108µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT223-4  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 95 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 240 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 350mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSP88E6327

Attributs du produit BSP88E6327 BSP89 E6327 BSP89H6327XTSA1 BSP77E
Modèle de produit BSP88E6327 BSP89 E6327 BSP89H6327XTSA1 BSP77E
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Package composant fournisseur PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V 6Ohm @ 350mA, 10V 6Ohm @ 350mA, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 240 V 240 V 240 V -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA -
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 108µA 1.8V @ 108µA 1.8V @ 108µA -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 95 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V -
Séries SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 350mA (Ta) 350mA (Ta) 350mA (Ta) -

Fiche technique BSP88E6327 PDF

Téléchargez BSP88E6327 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSP88E6327 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 28/Mar/2008.pdf
Feuilles de données
BSP88.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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