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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSP324H6327XTSA1
BSP324H6327XTSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSP324H6327XTSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSP324H6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSP324H6327XTSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
BSP324H6327XTSA1.pdf
État RoHS
En stock: 90790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies - BSP324H6327XTSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSP324H6327XTSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT223-4  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 170mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 154 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.9 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170mA (Ta)  
Numéro de produit de base BSP324  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSP324H6327XTSA1

Attributs du produit BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327 BSP322PH6327XTSA1 BSP372 E6327
Modèle de produit BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327 BSP322PH6327XTSA1 BSP372 E6327
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Tension drain-source (Vdss) 400 V 400 V 100 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
Fonction FET - - - -
Séries SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 154 pF @ 25 V 154 pF @ 25 V 372 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170mA (Ta) 170mA (Ta) 1A (Tc) 1.7A (Ta)
Numéro de produit de base BSP324 - BSP322 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V
Package composant fournisseur PG-SOT223-4 PG-SOT223-4-21 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA 2.3V @ 94µA 1V @ 380µA 2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.9 nC @ 10 V 5.9 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±14V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 170mA, 10V 25Ohm @ 170mA, 10V 800mOhm @ 1A, 10V 310mOhm @ 1.7A, 5V

Fiche technique BSP324H6327XTSA1 PDF

Téléchargez BSP324H6327XTSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSP324H6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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