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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSO215C
BSO215C Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSO215C - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSO215C
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSO215C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
BSO215C.pdf
En stock: 4400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSO215C
Infineon Technologies - BSO215C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSO215C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.7A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 246pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base BSO215  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSO215C

Attributs du produit BSO215C BSO211PH BSO211P BSO2N604L
Modèle de produit BSO215C BSO211PH BSO211P BSO2N604L
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Puissance - Max 2W 1.6W (Ta) 2W -
Configuration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Séries SIPMOS® OptiMOS™ P OptiMOS™ -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 532-BFBGA, FCBGA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 246pF @ 25V 1095pF @ 15V 920pF @ 15V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.7A, 10V 67mOhm @ 4.6A, 4.5V 67mOhm @ 4.7A, 4.5V -
Package composant fournisseur 8-SO 532-FCBGA (23x23) PG-DSO-8 -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA 1.2V @ 25µA 1.2V @ 25µA -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V 10nC @ 4.5V 23.9nC @ 4.5V -
Numéro de produit de base BSO215 BSO211 BSO211 -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A 4A (Ta) 4.7A -

Fiche technique BSO215C PDF

Téléchargez BSO215C PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSO215C - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
BSO215C.pdf
PCN Obsolescence / EOL
BSO215C 16/Mar/2004.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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